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分离式半导体产品 NTP5862NG品牌、价格、PDF参数

NTP5862NG • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NTP5862NG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V TO-220-3 0 500:$1.12578
NIC9N05ATS1 ON Semiconductor IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE 0 3,500:$1.10700
NTP5862NG • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 98A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.7 毫欧 @ 45A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
功率 - 最大: 115W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
电脑版（www.mmic.net.cn）
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