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分离式半导体产品 FDD18N20LZ品牌、价格、PDF参数

FDD18N20LZ • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
FDD18N20LZ Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 200V DPAK-3 0 2,500:$0.56000
FDD18N20LZ • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 200V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1575pF @ 25V
功率 - 最大: 89W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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