IPB072N15N3 G E8187 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPB072N15N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
0 |
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| IPB065N15N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
0 |
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| BSF077N06NT3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 |
0 |
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| BSF077N06NT3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 |
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| BSF077N06NT3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 |
0 |
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IPB072N15N3 G E8187 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
150V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
100A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
7.2 毫欧 @ 100A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 270µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
93nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
5470pF @ 75V
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| 功率 - 最大: |
300W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
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| 供应商设备封装: |
PG-TO263-2
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| 包装: |
带卷 (TR)
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