IPB039N10N3 G E8187 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPB039N10N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
0 |
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IPB039N10N3 G E8187 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
100V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
160A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.9 毫欧 @ 100A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 160µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
117nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
8410pF @ 50V
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| 功率 - 最大: |
214W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
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| 供应商设备封装: |
PG-TO263-7
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| 包装: |
Digi-Reel®
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