分离式半导体产品 NVD5117PLT4G品牌、价格、PDF参数

NVD5117PLT4G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
NVD5117PLT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 61A DPAK	6,352	1:$2.30000 10:$2.07400 25:$1.85760 100:$1.67040 250:$1.48320 500:$1.29600 1,000:$1.07280
NVD5117PLT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 61A DPAK	5,000	2,500:$0.97200 5,000:$0.93600 12,500:$0.90000 25,000:$0.88560 62,500:$0.86400

NVD5117PLT4G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	61A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	16 毫欧 @ 29A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	85nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	4800pF @ 25V
功率 - 最大:	4.1W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:	DPAK-3
包装:	剪切带 (CT)

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