分离式半导体产品 FDB86102LZ品牌、价格、PDF参数

FDB86102LZ • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
FDB86102LZ	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK	0	800:$0.79680
FDB390N15A	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK	0	800:$0.86900
FDPF10N50UT	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3	0	1,000:$0.78010

FDB86102LZ • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	24 毫欧 @ 8.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	1275pF @ 50V
功率 - 最大:	3.1W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装:	TO-263
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

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