分离式半导体产品 STH180N10F3-6品牌、价格、PDF参数

STH180N10F3-6 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STH180N10F3-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 975 1:$5.39000
10:$4.82500
25:$4.33840
100:$3.94570
250:$3.57172
500:$3.19770
STH180N10F3-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 0 1,000:$2.61800
2,000:$2.48710
5,000:$2.39360
10,000:$2.31880
25,000:$2.24400
STL85N6F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 695 1:$3.33000
10:$2.98000
25:$2.67960
100:$2.43710
250:$2.20604
500:$1.97506
1,000:$1.66320
STL85N6F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 695 1:$3.33000
10:$2.98000
25:$2.67960
100:$2.43710
250:$2.20604
500:$1.97506
1,000:$1.66320
STL85N6F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 0 3,000:$1.53600
6,000:$1.47800
15,000:$1.43200
30,000:$1.38600
STH180N10F3-6 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 114.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6665pF @ 25V
功率 - 最大: 315W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
供应商设备封装: H²PAK
包装: Digi-Reel®