分离式半导体产品 IPD60R450E6品牌、价格、PDF参数

IPD60R450E6 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPD60R450E6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252	2,500	2,500:$0.80271 5,000:$0.77298 12,500:$0.74325 25,000:$0.72839 62,500:$0.71352

IPD60R450E6 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	9.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	450 毫欧 @ 3.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 280µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	620pF @ 100V
功率 - 最大:	74W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:	PG-TO252-3
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

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