分离式半导体产品 BSS670S2L H6327品牌、价格、PDF参数

BSS670S2L H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSS670S2L H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 6,000 3,000:$0.07620
6,000:$0.06858
15,000:$0.06096
30,000:$0.05715
75,000:$0.05067
150,000:$0.04763
BSS670S2L H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 650 毫欧 @ 270mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 2.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 75pF @ 25V
功率 - 最大: 360mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: PG-SOT23-3
包装: 带卷 (TR)