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分离式半导体产品 BSZ018NE2LSI品牌、价格、PDF参数

BSZ018NE2LSI • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ018NE2LSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.96187
10,000:$0.92488
25,000:$0.90638
50,000:$0.88788
BSZ018NE2LSI • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.8 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 12V
功率 - 最大: 69W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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