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分离式半导体产品 IPB097N08N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB097N08N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB097N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 1,000 1,000:$0.72906
2,000:$0.67878
5,000:$0.65364
10,000:$0.62850
25,000:$0.61593
50,000:$0.60336
IPB097N08N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 9.7 毫欧 @ 46A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 46µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 40V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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