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分离式半导体产品 BSC010NE2LSI品牌、价格、PDF参数

BSC010NE2LSI • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC010NE2LSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 5,000 5,000:$1.13997
10,000:$1.09613
25,000:$1.07420
50,000:$1.05228
BSC010NE2LSI • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.05 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 12V
功率 - 最大: 96W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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