分离式半导体产品 BSB056N10NN3 G品牌、价格、PDF参数

BSB056N10NN3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
BSB056N10NN3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2	10,000	1:$3.92000 10:$3.52600 25:$3.19960 100:$2.87300 250:$2.61180 500:$2.28532 1,000:$1.95885 2,500:$1.86091
BSB056N10NN3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2	5,000	5,000:$1.66502 10,000:$1.61932 25,000:$1.56708

BSB056N10NN3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	83A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	5.6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	5500pF @ 50V
功率 - 最大:	78W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	3-WDSON
供应商设备封装:	MG-WDSON-2，CanPAK M?
包装:	剪切带 (CT)

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