型号
分离式半导体产品 FDB082N15A品牌、价格、PDF参数
FDB082N15A
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
FDB082N15A
Fairchild Semiconductor
MOSFET N CH 150V 105A D2PAK
0
800:$2.68500
1,600:$2.50600
2,400:$2.38070
5,600:$2.29120
20,000:$2.21960
40,000:$2.14800
FDB082N15A
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
105A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
8.2 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
84nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
6040pF @ 25V
功率 - 最大:
231W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
TO-263(D2Pak)
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
分离式半导体产品 SI7629DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI7629DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI7629DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SUD50P04-13L-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SUD50P04-13L-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SUD50P04-13L-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI1426DH-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SIA406DJ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI1426DH-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI1426DH-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
电脑版(www.mmic.net.cn)
买卖IC网 版权所有©2006-2020