分离式半导体产品 SI5913DC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5913DC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5913DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 1206-8 640 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SI5913DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 1206-8 640 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V DPAK 3,837 1:$1.45000
25:$1.14320
100:$1.02870
250:$0.89536
500:$0.80010
1,000:$0.62865
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V DPAK 2,000 2,000:$0.53340
6,000:$0.50673
10,000:$0.48578
50,000:$0.45720
SI5913DC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 84 毫欧 @ 3.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: Digi-Reel®