分离式半导体产品 SI4829DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4829DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4829DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC	0	2,500:$0.21080 5,000:$0.19720 12,500:$0.18360 25,000:$0.17340 62,500:$0.17000 125,000:$0.16320
SI1467DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V SC-70-6	688	1:$0.75000 25:$0.57800 100:$0.51000 250:$0.44200 500:$0.37400 1,000:$0.29750

SI4829DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点:	二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss):	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	215 毫欧 @ 2.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	210pF @ 10V
功率 - 最大:	3.1W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SOICN
包装:	带卷 (TR)

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