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分离式半导体产品 SIJ420DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIJ420DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIJ420DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8-SOIC 0 3,000:$0.82350
6,000:$0.79300
15,000:$0.76250
30,000:$0.74725
75,000:$0.73200
SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 646 1:$2.03000
25:$1.56880
100:$1.42350
250:$1.27820
500:$1.10390
1,000:$0.92960
SIJ420DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.6 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3630pF @ 10V
功率 - 最大: 62.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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