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分离式半导体产品 DMN2013UFDE-7品牌、价格、PDF参数

DMN2013UFDE-7 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
DMN2013UFDE-7 Diodes Inc MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6 3,000 3,000:$0.20150
6,000:$0.18850
15,000:$0.17550
30,000:$0.16640
75,000:$0.16250
150,000:$0.15600
DMN2013UFDE-7 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25.8nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2453pF @ 10V
功率 - 最大: 660mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UDFN
供应商设备封装: *
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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