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分离式半导体产品 PSMN1R6-30BL,118品牌、价格、PDF参数

PSMN1R6-30BL,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PSMN1R6-30BL,118 NXP Semiconductors MOSFET N CH 30V 100A D2PAK 300 1:$2.81000
10:$2.53400
25:$2.27000
100:$2.04110
250:$1.81240
PSMN1R6-30BL,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.9 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12493pF @ 15V
功率 - 最大: 306W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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