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分离式半导体产品 NP88N03KDG-E1-AY品牌、价格、PDF参数

NP88N03KDG-E1-AY • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 800 800:$1.65000
1,600:$1.54000
2,400:$1.46300
5,600:$1.40250
20,000:$1.36400
40,000:$1.32000
NP88N03KDG-E1-AY • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 88A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.4 毫欧 @ 44A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13500pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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