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分离式半导体产品 EPC2012品牌、价格、PDF参数

EPC2012 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE 6,000 1,000:$2.10000
2,000:$1.99500
5,000:$1.91300
10,000:$1.86000
EPC2007 EPC TRANS 100V 30MO BUMPED DIE 1,610 1:$3.15000
10:$2.70000
100:$2.20500
500:$1.71000
EPC2007 EPC TRANS 100V 30MO BUMPED DIE 1,610 1:$3.15000
10:$2.70000
100:$2.20500
500:$1.71000
EPC2012 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 3A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 100V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 128pF @ 100V
功率 - 最大: -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 模具
供应商设备封装: 模具
包装: 带卷 (TR)
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