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分离式半导体产品 IXTT16N20D2品牌、价格、PDF参数

IXTT16N20D2 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTT16N20D2 IXYS MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 26 1:$10.40000
10:$9.36000
25:$8.52800
100:$7.69600
250:$7.07200
500:$6.44800
1,000:$5.61600
2,500:$5.40800
IXTT16N20D2 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 73 毫欧 @ 8A，0V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: 208nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 25V
功率 - 最大: 695W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装: TO-268
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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