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分离式半导体产品 PHB21N06LT,118品牌、价格、PDF参数

PHB21N06LT,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHB21N06LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 19A SOT404 4,000 800:$0.76078
1,600:$0.68745
2,400:$0.64162
5,600:$0.60954
20,000:$0.58662
40,000:$0.56829
80,000:$0.54996
PHB21N06LT,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 19A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
功率 - 最大: 56W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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