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分离式半导体产品 IRFHS8342TR2PBF品牌、价格、PDF参数

IRFHS8342TR2PBF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IRFHS8342TR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 1,200 400:$0.19620
800:$0.18365
1,200:$0.17346
2,800:$0.16252
10,000:$0.14945
40,000:$0.14233
IRFHS8342TR2PBF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 8.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V
功率 - 最大: 2.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-PowerVQFN
供应商设备封装: 6-PQFN（2x2）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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