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分离式半导体产品 BST82,215品牌、价格、PDF参数

BST82,215 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BST82,215 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 9,000 3,000:$0.10400
6,000:$0.09800
15,000:$0.08900
30,000:$0.08300
75,000:$0.07500
150,000:$0.07200
BST82,215 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 190mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 欧姆 @ 150mA，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V
功率 - 最大: 830mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: TO-236AB
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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