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分离式半导体产品 IXFH18N100Q3品牌、价格、PDF参数

IXFH18N100Q3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXFH18N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 30 1:$14.26000
10:$12.96000
100:$11.01600
250:$10.04400
500:$9.39600
1,000:$8.61840
2,500:$8.26200
5,000:$8.03520
10,000:$7.77600
IXFH18N100Q3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 660 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4890pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
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