分离式半导体产品 PSMN4R0-30YL,115品牌、价格、PDF参数

PSMN4R0-30YL,115 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
PSMN4R0-30YL,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 30V 100A SOT669	1,500	1,500:$0.40320 3,000:$0.37632 7,500:$0.35750 10,500:$0.34406 37,500:$0.33331 75,000:$0.32256

PSMN4R0-30YL,115 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	4 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	36.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	2090pF @ 12V
功率 - 最大:	69W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装:	LFPAK，Power-SO8
包装:	带卷 (TR)

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