型号
分离式半导体产品 PSMN130-200D,118品牌、价格、PDF参数
PSMN130-200D,118
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
PSMN130-200D,118
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 200V 20A SOT428
7,500
2,500:$0.68992
5,000:$0.65542
12,500:$0.63078
25,000:$0.61107
62,500:$0.59136
PSMN130-200D,118
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
130 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2470pF @ 25V
功率 - 最大:
150W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:
D-Pak
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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