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分离式半导体产品 PSMN130-200D,118品牌、价格、PDF参数

PSMN130-200D,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PSMN130-200D,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 9,495 1:$1.78000
10:$1.57200
25:$1.41920
100:$1.24190
250:$1.08908
500:$0.96588
1,000:$0.76384
PSMN130-200D,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 9,495 1:$1.78000
10:$1.57200
25:$1.41920
100:$1.24190
250:$1.08908
500:$0.96588
1,000:$0.76384
PSMN130-200D,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2470pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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