型号
分离式半导体产品 PSMN1R1-30PL,127品牌、价格、PDF参数
PSMN1R1-30PL,127
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
PSMN1R1-30PL,127
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
273
1:$3.25000
10:$2.90000
25:$2.61000
100:$2.37800
250:$2.14600
500:$1.92560
1,000:$1.62400
2,500:$1.54280
5,000:$1.48480
PSMN1R1-30PL,127
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
1.3 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
243nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
14850pF @ 15V
功率 - 最大:
338W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220AB
包装:
管件
电子产品资料
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