型号
分离式半导体产品 SIRA12DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIRA12DP-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIRA12DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A SO8 PWR PK
0
1:$1.06000
25:$0.84000
100:$0.75600
250:$0.65800
500:$0.58800
1,000:$0.46200
SIRA12DP-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
4.3 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2070pF @ 15V
功率 - 最大:
31W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
包装:
Digi-Reel®
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