型号
分离式半导体产品 NTD4960N-1G品牌、价格、PDF参数
NTD4960N-1G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
NTD4960N-1G
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
2,087
1:$0.40000
25:$0.29760
100:$0.25500
250:$0.22100
500:$0.18700
1,000:$0.14450
2,500:$0.13175
5,000:$0.12325
10,000:$0.11800
NTD4960N-1G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
8.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1300pF @ 15V
功率 - 最大:
1.07W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装:
I-Pak
包装:
管件
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