分离式半导体产品 SIS468DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIS468DN-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8 0 3,000:$0.53200
6,000:$0.50540
15,000:$0.48450
30,000:$0.47120
75,000:$0.45600
SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK 0 1:$1.44000
25:$1.14000
100:$1.02600
250:$0.89300
500:$0.79800
1,000:$0.62700
SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK 0 1:$1.44000
25:$1.14000
100:$1.02600
250:$0.89300
500:$0.79800
1,000:$0.62700
SIS468DN-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 19.5 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 780pF @ 40V
功率 - 最大: 52W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装: PowerPAK? 1212-8
包装: 带卷 (TR)