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分离式半导体产品 SI3483DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3483DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3483DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP 0 3,000:$0.42700
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 0 3,000:$0.58800
SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212 45 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SI4477DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.58800
SI3483DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 6.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.14W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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