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分离式半导体产品 SI7382DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7382DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.60340
SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 0 3,000:$0.60340
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP 0 3,000:$0.60340
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.60340
SI7382DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 毫欧 @ 24A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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