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分离式半导体产品 SI4190ADY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4190ADY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSF N CH 100V 18.4A SO8 0 1:$1.75000
25:$1.35000
100:$1.22500
250:$1.10000
500:$0.95000
1,000:$0.80000
SI4190ADY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.8 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1970pF @ 50V
功率 - 最大: 6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SO
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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