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分离式半导体产品 IPB049NE7N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB049NE7N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB049NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 960 1:$2.96000
10:$2.53900
25:$2.28480
100:$2.07320
250:$1.86164
500:$1.60778
IPA032N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 498 1:$2.93000
10:$2.64900
25:$2.36520
100:$2.12850
250:$1.89200
500:$1.65550
1,000:$1.37170
2,500:$1.27710
5,000:$1.22980
IPB049NE7N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.9 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.8V @ 91µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4750pF @ 37.5V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-3
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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