分离式半导体产品 SQD35N05-26L-GE3品牌、价格、PDF参数

SQD35N05-26L-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQD35N05-26L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252 0 2,000:$1.33133
SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 0 3,000:$0.76950
6,000:$0.74100
15,000:$0.71250
30,000:$0.69825
75,000:$0.68400
SI1307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 0 3,000:$0.20925
SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L 0 1:$0.72000
25:$0.50040
100:$0.42900
250:$0.37052
500:$0.31850
1,000:$0.24700
SQD35N05-26L-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1175pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 带卷 (TR)