分离式半导体产品 SI2333DS-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI2333DS-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SOT23-3 0 3,000:$0.22475
SQD25N06-22L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252 0 2,000:$0.89100
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$0.89100
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 38 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 38 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 0 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SI2333DS-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 5.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 6V
功率 - 最大: 750mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)