分离式半导体产品 SIHB15N60E-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHB15N60E-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHB15N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N CH 600V 15A DPAK 0 1:$3.14000
25:$2.52000
100:$2.29600
250:$2.07200
500:$1.85920
1,000:$1.56800
2,500:$1.48960
5,000:$1.42800
SUP90N15-18P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 150V TO220AB 0 500:$3.10420
SIHP25N40D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB 0 1:$3.08000
25:$2.47520
100:$2.25500
250:$2.03500
500:$1.82600
1,000:$1.54000
2,500:$1.46300
5,000:$1.40250
SUP40N25-60-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 250V TO220AB 0 500:$3.00460
SIHP15N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB 30 1:$2.97000
25:$2.38520
100:$2.17300
250:$1.96100
500:$1.75960
1,000:$1.48400
2,500:$1.40980
5,000:$1.35150
SIHP14N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB 50 1:$2.95000
25:$2.37520
100:$2.13750
250:$1.90000
500:$1.66250
1,000:$1.37750
2,500:$1.28250
5,000:$1.23500
SIHB15N60E-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 280 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 100V
功率 - 最大: 180W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 散装