HUFA76609D3ST_F085 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| HUFA76609D3ST_F085 |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
0 |
|
HUFA76609D3ST_F085 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
|
| FET 特点: |
逻辑电平门
|
| 漏极至源极电压(Vdss): |
100V
|
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
10A
|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
160 毫欧 @ 10A，10V
|
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
|
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
16nC @ 10V
|
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
425pF @ 25V
|
| 功率 - 最大: |
49W
|
| 安装类型: |
表面贴装
|
| 封装/外壳: |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
|
| 供应商设备封装: |
D-Pak
|
| 包装: |
带卷 (TR)
|