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分离式半导体产品 RW1C020UNT2R品牌、价格、PDF参数

RW1C020UNT2R • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 0 8,000:$0.19285
RW1C020UNT2R • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WEMT
供应商设备封装: 6-WEMT
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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