型号

分离式半导体产品 MTD6N20ET5G品牌、价格、PDF参数

MTD6N20ET5G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
MTD6N20ET5G ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 6A DPAK 0
MTD6N20ET5G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 700 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V
功率 - 最大: 1.75W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020