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分离式半导体产品 DMN1019UFDE-7品牌、价格、PDF参数

DMN1019UFDE-7 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
DMN1019UFDE-7 Diodes Inc MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E 0 3,000:$0.17252
6,000:$0.16139
15,000:$0.15026
30,000:$0.14246
75,000:$0.13913
150,000:$0.13356
DMN3033LDM-7 Diodes Inc MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 0 3,000:$0.16275
DMG7408SFG-7 Diodes Inc MOSF N CH 30V 7A 3333-8 0 1:$0.59000
10:$0.45900
25:$0.38760
100:$0.31590
250:$0.26164
500:$0.21612
1,000:$0.16188
DMG7408SFG-7 Diodes Inc MOSF N CH 30V 7A 3333-8 0 1:$0.59000
10:$0.45900
25:$0.38760
100:$0.31590
250:$0.26164
500:$0.21612
1,000:$0.16188
DMN1019UFDE-7 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50.6nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2425pF @ 10V
功率 - 最大: 690mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UDFN
供应商设备封装: *
包装: 带卷 (TR)
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