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分离式半导体产品 SIE812DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE812DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE812DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK 0 3,000:$1.64920
SQM110N08-05-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V TO263 0 800:$1.60350
SIE812DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.6 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8300pF @ 20V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（L）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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