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分离式半导体产品 FQPF19N20CYDTU品牌、价格、PDF参数

FQPF19N20CYDTU • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
FQPF19N20CYDTU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F 0
FQD6N60CTM_WS Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V DPAK 0
FQA28N50_F109 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN 0
FQPF19N20CYDTU • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 19A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫欧 @ 9.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V
功率 - 最大: 43W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 全封装截切引线
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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