型号
分离式半导体产品 IXTP2N100P品牌、价格、PDF参数
IXTP2N100P
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IXTP2N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
0
250:$1.70000
IXTP2N100P
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
24.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
655pF @ 25V
功率 - 最大:
86W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220
包装:
管件
电子产品资料
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