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分离式半导体产品 CMF20120D品牌、价格、PDF参数

CMF20120D • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
CMF20120D Cree Inc SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 344 1:$33.33000
100:$32.05000
500:$31.25000
CMF20120D • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: SiCFET N 通道，碳化硅
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 33A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 20A，20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1915pF @ 800V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247-3
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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