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分离式半导体产品 IXTA08N100P品牌、价格、PDF参数

IXTA08N100P • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 0 300:$1.36000
IXTA08N100P • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 800mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 20 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V
功率 - 最大: 42W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
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