型号
分离式半导体产品 IXTP3N100P品牌、价格、PDF参数
IXTP3N100P
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IXTP3N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
0
200:$2.31650
IXTH86N20T
IXYS
MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
0
120:$3.58750
IXTH56N15T
IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-247
0
210:$2.27552
IXTH76N25T
IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
0
120:$3.58750
IXTP3N100P
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1100pF @ 25V
功率 - 最大:
125W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220
包装:
管件
电子产品资料
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